钠存科技自研 eRRAM 嵌入式阻变存储 IP，覆盖 0.18μm 至 22nm 宽工艺区间，兼容 BCD 功率工艺与标准 CMOS 工艺，赋能 PMIC、DDIC、MCU、传感器等芯片，替代传统 EEPROM 与嵌入式 Flash。区别于传统 eFlash 方案，eRRAM 读取功耗表现优异；BEOL 后端集成实现更少附加光罩，大幅削减芯片流片成本。兼顾低功耗与成本优势，充分满足移动终端、AIoT 芯片对于片上非易失存储的需求。
核心特性
- 非易失性：掉电数据不丢失，高温保持能力高于 Flash。
- 高可靠性：数据保持能力 10 年 / 125℃，数据耐久达 100K，存储数据不受高能射线和磁场的干扰，优于 Flash 和 MRAM。
- 高性能：写入速度高于 Flash 10 倍以上，读取性能达到约 10ns。
- 易微缩性：器件尺寸可微缩至 10nm 以下，突破浮栅型 Flash 器件 40nm 微缩极限，适配 HKMG、FinFET 及 GAA 等先进工艺。
- 工艺成本低：仅需 2~3 层附加光罩，比 Flash 器件少 6~10 层。
- 工艺可适配：可兼容 Logic / HV / CIS 等多种工艺平台。
应用领域
- PMIC 电源管理芯片：兼容 BCD 功率工艺平台，存储输出电压、电流阈值、上电复位延时等芯片配置与校准参数。
- DDIC 显示驱动芯片：适配 AMOLED DDIC、TDDI 屏幕驱动，替代片上 OTP/MTP 或外挂 NOR Flash，实现 Demura 补偿数据存储。
- MCU 微控制器：作为 eFlash 高性价比替代方案，适用于配置参数、启动代码存储，助力先进工艺下 MCU 降本。
- 传感器与安全芯片：面向各类传感器、NFC、安全加密 IC，满足片上嵌入式非易失参数与密钥信息存储需求。
- 低功耗 IoT 终端设备：可对标 EEPROM 规范，具备低功耗、读写效率优势，适配助听器、便携穿戴等电池供电产品。
