独立式存储

Standalone Memory

钠存科技利用 RRAM 低功耗、易微缩的技术特性,面向智能穿戴、AI/AR 眼镜等前沿场景打造独立式存储芯片。产品具备高速读写、长期数据保持与高可靠性等优势,可满足移动终端对存储容量、功耗与体积的严苛要求。

核心特性

  • 字节直接覆写:无需扇区 / 块擦除,支持字节粒度直接覆写数据,简化软件管理逻辑。
  • 读写能效优:无需 Flash 高压电荷泵,能耗显著降低。
  • 抗磁场干扰:非磁存储机理,相比 MRAM,不受外部磁场影响。
  • 工艺易微缩:突破浮栅 Flash 缩放瓶颈,可适配 10nm 以下先进工艺。
  • 原生存算能力:阵列可实现模拟矩阵运算,适配边缘 AI 推理场景。
独立式存储 核心特性

应用领域

独立式 RRAM 存储芯片凭借字节直接覆写、低读写能耗、抗磁场干扰、原生存算能力等特性,覆盖如下多类应用场景:边缘 AI 与板级存算设备,工业控制与工业 IoT,车载电子,穿戴、助听器、便携式医疗,航空航天特种装备等。

独立式存储 应用领域