Embedded Memory Design

核心技术覆盖

我们的设计能力横跨新型前沿技术与成熟传统工艺，灵活适配多样化应用场景：

• 新型存储技术：重点涵盖 RRAM（阻变存储器）与 FeFET（铁电场效应晶体管），利用其高密度、低功耗及易微缩特性，赋能下一代 AIoT 与边缘计算芯片。
• 传统存储技术：精通 eFlash（嵌入式闪存）与 EEPROM，确保在成熟工艺节点上的高可靠性、高良率与成本优势。

端到端完整流程

提供从概念定义到物理实现的“交钥匙”级前端设计服务，确保设计的可制造性与高性能：

• 规格制定：深入理解需求，精准定义读写速度、保持力、擦写次数及面积等关键指标。
• 架构设计：优化存储阵列、灵敏放大器及冗余修复电路架构，极致平衡 PPA（性能、功耗、面积）。
• 模拟验证：通过高精度仿真，确保在极端工艺角下的功能正确性与良率预期。
• 物理版图：完成从原理图到 GDSII 的版图设计与验证，严格遵循 DRC/LVS 规则，最大化面积利用率。

客户价值交付

通过我们的专业服务，客户可以显著缩短研发周期，降低流片风险。我们全力支持客户实现自主流片，并最终达成高质量的量产交付，助力产品在激烈的市场竞争中快速上市。